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半導体プロセス機器
Mersen社は、SiC(炭化ケイ素)で覆われた超高純度グラファイトで作った機器を提案することで、これらの要件を満たします。
これらの専用ソリューションは、材料および精密機械加工に関する当社の専門知識の賜物です。
- ETV-ICPの確認を経た超高純度グラファイトグレード
- SiC(炭化ケイ素)を有する当社のグラファイトグレードの適合性(CTE)は、保護コーティングの長期的完全性を保証します。
- 当社の精密機械加工プロセスでは、三次元検査を実施し、極めて複雑な部品の設計が確実に順守されています。
イオン注入:
イオン注入技術は、特にホウ素、リン、およびヒ素といったドープ剤を導入する際、基板の構成および物理的特性を部分的に変更するために半導体業界で用いられています。
これらの機械で用いられている電極およびグラファイト保護スクリーンは、イオン衝撃により著しく腐食します。
- Mersenの微粒子高密度超高純度グラファイトは、高い耐腐食性を有します。
- Mersen社では、これらの部品の強度をさらに高めながら粒子放出を低減するために、ガラス状炭素含浸「VCI」も開発しました。
Mersen in semiconductor fabrication equipment
コンタクト Japan
AM - メルセン・エフエムエー株式会社
本社
〒163-0714
東京都新宿区西新宿2-7-1
新宿第一生命ビルディング14階
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Call us now
(TEL) 03-5325-6311
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Product Literature
ETV-ICP OES - detecting limits for high purity carbon and graphite
Download1.82 MB
ETV-ICP OES - detecting limits for high purity carbon and graphitePurified graphite silicon carbide graphite enhancement
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Purified graphite silicon carbide graphite enhancementETV-ICP OES - detecting limits for high purity carbon and graphite
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Purified graphite silicon carbide graphite enhancement